据“甘肃广电融媒体中心”发布消息，近日，国科能源兰州新区年产30GWh新能源电池生产基地一期项目近期进入收官冲刺阶段。 据介绍，作为兰州新区重点布局的新能源产业项目，国科能源兰州新区年产30GWh新能源电池生产基地截至目前，综合办公楼、职工食堂、宿舍等生活办公配套建筑主体结构已完工，室内装饰与配套设施施工正交叉开展。 资料显示，该项目一期于2025年8月30日开工建设，总投资近30亿元，规划建设4条生产线，包括2条314Ah磷酸铁锂储能电芯生产线和2条30Ah磷酸铁锂储能电芯生产线，建成后将实现年产10GWh磷酸铁锂储能电芯产能，预计年营业收入可达41亿元，将填补区域储能电池生产领域空白，助力兰州新区培育新能源电池产业集群。

8月4日仓单均价较前一交易日下跌1美元/吨，报110美元/吨（价格区间106~114美元/吨）；提单均价较前一交易日下跌1美元/吨，报105美元/吨（价格区间100~110美元/吨）；EQ铜（CIF提单）均价较前一交易日下跌1美元/吨，报71美元/吨（价格区间67~75美元/吨），报价参考8月到港货源。 近端合约进口比价倒挂及BACK结构继续走扩，市场报盘增加，部分持货商迫于压力报价略有回撤，但从市场格局来看供需双弱情况未变，买卖双方继续进行博弈。听闻今日8月上旬到港EQ铜报价于68-70美元/吨，8月到港注册提单成交于113美元/吨、主流报价于110-120美元/吨，注册仓单成交于110美元/吨附近。

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三大DRAM原厂2027年全年产能已提前售罄，AI浪潮正将存储市场推入前所未有的结构性短缺周期。 8月4日，据媒体DIGITIMES援引业界人士透露， 三星电子、美光及SK海力士的DRAM与高带宽存储器（HBM）2027年产能已全数分配完毕，涵盖长期协议大客户及中小型买家。 与此同时，三星电子、美光、闪迪的NAND Flash全年产能亦已预售一空，铠侠与SK海力士预计最晚于2026年8月底前完成分配。 上述动态意味着，尚未锁定产能的买家面临2027年"无货可买"的困境，而 云端服务巨擘与AI大厂的优先级持续压缩手机及PC等消费性终端的供给空间。 不过，随着主要产能陆续分配到位，业界预期2027年价格涨幅将较2026年趋缓，但供给紧张与终端成本压力短期内难以实质缓解。 AI需求主导分配格局 AI浪潮是此轮产能告罄的核心驱动力。各大原厂近期已陆续与大客户签订3至5年期长期供货协议（LTA），将存储市场从传统商品周期拉入长期卖方市场格局。 威刚董事长陈立白证实，三大原厂2027年产能早已售罄，HBM与AI服务器相关应用将占据DRAM产能约七成。 在总产能受限的情况下，原厂优先满足云端服务（CSP）及AI大厂需求，直接压缩手机及PC厂商的配额。 业界估计，原厂实际可提供的产能通常仅达买方原定目标的六至七成，手机及PC厂商2027年能取得的DRAM配额，预计将较2026年明显减少。 SK集团会长崔泰源近期表示，2027年AI半导体需求可望较2026年大增60%至100%，整体储存需求增幅估达50%至60%，供需缺口恐持续扩大，2027年将面临史上最严重的短缺与供需失衡。 NAND供需逆转存疑，企业级需求支撑延续 相较于DRAM，NAND Flash市场供应商较多，买方仍存在一定的谈判空间。 外界对2027年NAND供需逆转持有疑虑，认为新产能陆续释放叠加消费需求疲弱，2027年下半年供需或趋于宽松，价格压力随之升高。 然而业界人士对此看法持保留态度。 相关业者指出，2027年企业级固态硬盘（SSD）需求仍强，供给紧缺有望延续至2028年，原厂扩产评估不宜过于乐观。 陈立白亦指出，企业级储存需求强劲，带动NAND Flash与硬盘市场供给同步趋紧。 订金模式取代传统下单 此轮产能分配模式出现结构性转变。 据报道援引供应链人士透露，面对2026年产能供不应求局面持续蔓延，多家云端服务巨擘与品牌厂商不惜代价争抢产能， 各大厂商纷纷提前锁定未来产能，并配合原厂推行的预付订金模式完成交易。 所谓产能分配，涵盖范围不限于签署长期协议的大客户，也包括2026年已获产能分配、但原厂未必愿意签订长约的中小型买家。各家原厂将经内部协调后，通知相应的产能额度。 业界人士指出，部分厂商对7月至8月是产能分配关键窗口期一事仍不知情，" 大家都不宣扬，就是怕太多人进来，结果自己分少了。 " 价格高位常态化，涨幅料趋缓 尽管供给持续吃紧，价格轨迹却可能与2026年有所不同。 业界普遍认为，由于主要产能已基本分配到位，DRAM与NAND的最终价格将待接近实际出货期时才进一步确定， 2027年的价格涨幅有望较2026年的倍数式暴涨趋于温和。 然而，"价格高位常态化"将成为新常态。 存储原厂手握产能分配大权，预计仍将强势维持市场报价走升，整体市场供给紧张与终端成本压力短期内难以实质缓解。 对于尚未完成产能锁定的厂商而言，被迫接受更高价格采购，或在供给上陷入被动，将是2027年面临的主要风险。

SK海力士携手闪迪，在人工智能存储架构竞赛中共同落子。 8月4日，SK海力士携手闪迪联合发布高带宽闪存（HBF）全球首个标准规范，这一里程碑距HBF联盟正式成立仅约六个月，标志着下一代AI存储技术的标准化进程正式提速。 上述规范在加利福尼亚州圣克拉拉举行的"FMS 2026"存储峰会上正式亮相。谷歌与Tenstorrent已宣布加入HBF联盟，进一步扩大该技术的产业生态覆盖。 SK海力士执行副总裁Kim Chun-sung表示， HBF将打破内存与存储之间的边界，助力构建提升整体系统效率的新型架构。 HBF技术定位于高带宽内存（HBM）与固态硬盘（SSD）之间的新型存储层级，旨在同时解决AI推理场景下的带宽瓶颈与容量扩展难题。 此前Citrini Research分析师Jukan曾于4月在社交平台X上指出， 谷歌是目前推动HBF落地最为积极的玩家，而英伟达对HBF的兴趣则相对有限，认为现有eSSD已能满足相应带宽需求。 HBF首个标准规范正式落地 此次发布的HBF标准规范，是SK海力士与闪迪于2025年8月建立初步标准化合作伙伴关系后的最新成果，距今年2月联盟正式启动仅约六个月。 规范内容覆盖多个核心技术维度： 容量方面 ，支持基于两种堆叠配置（8层与16层NAND晶粒）、最高达512GB的规格； 带宽方面 ，划分为三个等级（Grade 1至3），可扩展性能从约0.4TB/s至3.0TB/s。 此外，规范还涵盖连接接口与电气特性、HBF晶粒堆叠工艺的可靠性与封装指南，以及软件I/O指南。 在互联标准上，HBF采用UCIe（通用小芯片互联快速接口）这一行业开放标准，为HBF技术跨GPU、CPU等不同处理器类型灵活集成奠定基础。 SK海力士在推进HBF标准化过程中，采取了开放联盟与行业协作并行的路径。 联盟成员目前已纳入谷歌与Tenstorrent，并通过开放计算项目（OCP）以开放标准形式向全行业披露规范，意在将HBF塑造为产业通用标准。 SK海力士表示，将借助此次规范发布，推动HBF技术在AI存储市场的采用，并持续培育周边生态，目标是在开放协作的基础上进一步扩大联盟规模，提升技术成熟度与市场接受度。 技术定位：填补HBM与SSD之间的空白 随着AI推理应用规模持续扩张，待处理数据量急剧增长，单一存储类型难以同时满足高带宽与大容量的双重需求，HBF因此获得市场关注。 HBF技术通过NAND技术大幅扩展容量，同时实现接近HBM水准的高速数据传输，在带宽与容量可扩展性上提供兼顾方案。 SK海力士将其定义为"分层内存"（Tiered Memory）架构的关键组成部分，这一架构理念将多种存储类型连接并优化为统一系统。 SK海力士执行副总裁Kim Chun-sung与副总裁Kang Uk-song将在FMS 2026开幕日发表题为《在Agentic AI时代通过分层内存构建高效AI基础设施》的联合主旨演讲，阐述下一代存储架构的必要性与发展方向。 8月6日，SK海力士副总裁Lim Eui-cheol、闪迪副总裁Rajeev Nagabhirava与谷歌DeepMind高级工程师Xiaoyu Ma将共同参与题为《以HBF突破内存墙》的圆桌讨论。 第十代4D NAND首次公开亮相 在FMS 2026展台上，SK海力士还首次公开展示其正在研发中的第十代（V10）375层4D NAND晶圆及产品。 375层4D NAND相较上一代产品，每瓦性能提升2.5倍，专为数据中心等对高能效和高性能有严苛要求的AI基础设施环境而优化。 SK海力士计划于明年初启动基于该技术的高性能大容量eSSDs量产，以巩固其在AI NAND市场的领先地位。 此外，SK海力士展台还将展出涵盖移动、PC、汽车及机器人领域的多元化产品线，展示其在AI时代与客户协同创新的成果。